GD/兆易创新 集成电路、处理器、微控制器 GD32F103CBT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP48, Tra
LMP8601MAX 电子元器件 TI 封装HTSSOP 批次17+
IRID9670TPM20LINUXTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
KITDRIVER2EDF7275FTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
GigaDevice兆易创新 GD32F207VCT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP100, Tr
2SK2925L 电子元器件 RENESAS 封装TO-251 批次21+
联系人：林浩
邮箱：
电话：15992538479
地址： 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SO-8 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
2Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
Id-连续漏极电流 |
2.6A,2.6A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
120mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.6V |
Qg-栅极电荷 |
14nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
2W |
通道模式 |
Enhancement |
| 晶体管类型 |
2N-Channel |
正向跨导-最小值 |
2.4S |
| 下降时间 |
15ns |
湿度敏感性 |
Yes |
| 上升时间 |
15ns |
典型关闭延迟时间 |
20ns |
| 典型接通延迟时间 |
12ns |
零件号别名 |
BSO615NGSP005353857 |
| 单位重量 |
750mg |
可售卖地 |
全国 |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSO615NGXUMA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.6 A, 2.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 120 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.6 V |
| Qg-栅极电荷： | 14 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 2.4 S |
| 下降时间： | 15 ns |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 上升时间： | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 20 ns |
| 典型接通延迟时间： | 12 ns |
| 零件号别名： | BSO615N G SP005353857 |
| 单位重量： | 750 mg |
15992538479