RTP真空快速退火炉-片式退火炉 扩散炉化合物半导体

　　RTP-150RL 是在保护气氛下的桌面手动快速退火系统，以红外可见光加热单片 Wafer 或样品，工艺时间短，控温精度高，适用 2-6 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系 统和其他 RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和RL900 软件控制系统，确保了极好的热均匀性。1.2 产品特点? 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷? 灯管功率 PID 控温，可准确控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性? 采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在 Wafer 表面，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好的温度均匀性? 大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理? 标配三组工艺气体? 可测单晶片样品的尺寸达 6 英寸（150mm）? 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全1.3 RTP 行业应用? 氧化物、氮化物生长? 硅化物合金退火? 砷化镓工艺? 欧姆接触快速合金? 氧化回流? 其他快速热处理工艺二、技术规格RTP-RL150产品尺寸6 寸晶圆或者支持 150×150mm 产品腔体材质镀金铝制腔体温度范围室温~1200℃（＞800℃采用非接触式温度计控温）升温速度150℃/s 可编程（此温度为不含载盘的升温速度）温度均匀度±5℃≤500℃，±1%＞500℃温度控制重复性±1℃恒温持续时间可依据要求编程温控方式快速 PID 温控控温区域多组控温区域，保证恒温区温度稳定性降温速度约 200℃/min（1000~400℃）不可编程腔体设计可配置大气常压腔体或者真空腔体真空泵风冷式干泵腔体冷却方式水冷腔体，独立水冷源控制冷却冷水机配置优先选择瑞乐百德公司配置的冷水机，或者使用厂务用水衬底冷却方式氮气吹扫工艺气体MFC 控制，常规三路气体（N2 / O2 / GN2）控制方式工业电脑+PC control温度校准TC Wafer 及温度校准工具（选配）Wafer 托盘SiC（选配）

　　RTP-300RL 是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，以红外可见光加热单片 Wafer 或样品，工艺时间短，控温精度高，适用 4-12 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和 RL900 软件控制系统，确保了极好的热均匀性。1.2 产品特点? 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷? 灯管功率 PID 控温，可准确控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性? 采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在 Wafer 表面，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好的温度均匀性? 大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理? 标配两组工艺气体，最多可扩展至 6 组工艺气体? 可测单晶片样品的尺寸为 12 英寸（300×300mm）? 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全1.3 RTP 行业应用? 氧化物、氮化物生长? 硅化物合金退火? 砷化镓工艺? 欧姆接触快速合金? 氧化回流? 其他快速热处理工艺2.1 参数RTP-RL300产品尺寸4-12 英寸晶圆或者支持 300×300mm 产品其中兼容 4 寸 9 片与 6 寸 4 片晶圆腔体材质镀金铝制腔体温度范围室温~1200℃（＞800℃采用非接触式温度计控温）升温速度150℃/s 可编程（此温度为不含载盘的升温速度）温度均匀度±5℃≤500℃，±1%＞500℃温度控制重复性±1℃恒温持续时间可依据要求编程控温区域多组控温区域，保证恒温区温度稳定性温控方式快速 PID 温控降温速度约 200℃/min（1000~400℃）不可编程腔体设计可配置大气常压腔体或者真空腔体真空泵风冷式干泵腔体冷却方式水冷腔体，独立水冷源控制冷却冷水机配置优先选择瑞乐百德公司配置的冷水机，或者使用厂务用水衬底冷却方式氮气吹扫工艺气体MFC 控制，常规三路气体（N2 / O2 / GN2）控制方式工业电脑+PC control四、选配清单温度校准TC Wafer 及温度校准工具（选配）Wafer 托盘SiC（选配，升温速度控制 25℃/min）