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| 型号 |
HS-9 |
类型 |
光刻曝光 |
| 加工定制 |
是 |
用途 |
光刻胶曝光机 |
| 电源 |
220 |
功率 |
N |
| 外形尺寸 |
N |
重量 |
N |
| 产地 |
中国 |
货号 |
H-9 |
| 是否跨境货源 |
是 |
别名 |
光刻系统 |
| 规格 |
H-9 |
厂家 |
螣芯 |
HS系列半自动双面对准光刻机1微米掩模版曝光
1.要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产
2．曝光面积：210×210mm；
3．曝光照度不均匀性：≤4%；
4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调（光束角度2°）；
5．紫外光束角：≤2°；
6．紫外光中心波长：365nm；
7．紫外光源寿命：≥2万小时；
8．分离量：0～≥1000um可调；
9．对准精度：≤±1μm；
10.曝光精度：密着曝光1μm，接触曝光分离量为2μm
11．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；
12. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；
13. 基片定位：切边定位；
14．图像识别及自动对准系统（含UVW对准工作台）：对准范围X.Y≥±5mm，升旋转角度Q≥±3°，显微镜两个镜头由两个XYZ电动平台控制。
15．掩模版尺寸：9″×9″；
16．晶圆尺寸：8″；
17. 对位软件：Labview；
18．找平方式：气悬浮自动找平；
19. 镜头倍数：4倍（显示放大200倍）；
20．对位台升降：Z≥±16mm；
21．曝光定时：0～999.9秒可调；
22. 对位方式：可选自动/手动；
23．电源：单相AC220V 50Hz ，功耗≤3KW；
24．洁净空气压力：≥0.4MPa；
25．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；
26．尺寸：1200*800*1600mm ；
27．重量：约200kg
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