III族氮化物分子束外延系统,A3N材料生长,MBE设备

　　这款III族氮化物分子束外延系统专门为A3N材料生长设计的MBE设备,适合高温下制备生长A3N半导体材料,提供非常广泛的可用生长参数（有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度）。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供极高的温度（>1200℃）以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源，可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层，为分子束外延（MBE）创造了记录。

　　III族氮化物分子束外延系统系列有两种（STE3N2）和三种（STE3N3）基本类型，配备有缓冲准备室。除了NH3注入器外，III族氮化物分子束外延系统还可能配备氮等离子体源（可选），用于生长InGaN、InAlN和InAlN的活性层藻类：MgIn与氨shui混合。

　　III族氮化物分子束外延系统采用衬底支架和生长操纵器的加热台的专利设计，用于III氮化物生长的所有类型衬底（蓝宝石、SiC、Si、AlN）提供了非常高的加热均匀性。允许zui大衬底直径100mm,用于基础和应用研发以及基于III型氮化物的高质量外延片的试生产。

　　(上述价格不一定准确，请您联系我们获得准确报价）。

　　III族氮化物分子束外延系统主要特点：

　　?特殊的先进设计和经批准的生长反应器，在NH3环境和极端基质温度下提供关键系统组件的长期可靠运行

　　?超大液氮冷冻板，用于有效的泵送，在高NH3负荷下提供连续生长

　　?专利铝源，特殊设计，延长使用寿命，在环境下提供超过2μm/h的AlN生长速率，无金属蠕变

　　?能够生长质量与在不匹配衬底上生长的MOCVD层相当的GaN外延层

　　?在系统基本配置中对生长过程进行现场监测的所有必要工具

　　?获得专利的基板支架设计，在整个晶圆上提供高温均匀性

　　?高温生长操纵器，在不低于1200°С的生长温度下提供高质量AlN层的连续生长

　　?在210-135 mm范围内改变“源-基”距离的能力，以使用不同类型的电池和晶片OD优化均匀性

　　?STE3N2双腔型紧凑型“封装外形”

　　?安装期间的有效技术支持，包括基本工艺转移

　　?简单的系统操作和定期的技术维护

　　III族氮化物分子束外延系统主要选项：

　　?准备室，带有用于基板支架（7个）和脱气台的存储盒，原子氢源专用端口

　　?额外的渗出细胞（5、15、25、35、60 cc的坩埚）

　　?附加PID调节器电源单元

　　?射频等离子体氮源，带有带MFC的氮气供应管线

　　?SiH4气体喷射器和带MFC的气体供应管线

　　?Bayard-Alpert型束流监测器（BFM）

　　?在涡轮泵中提供额外的原子基底，以及分子泵制备

　　?带电源装置的钛升华泵

　　?额外的基板支架，包括用于非标准尺寸样品的适配器

　　?系统运行的起始材料（Ga、Al、In、NH3、N2、Si、Mg、钛金属化蓝宝石晶片等）

　　?基于相分离器的液氮供应系统

　　?额外的备件和附件套件

　　III族氮化物分子束外延系统参数：