基于C-MOSI的红外辐射源,TO39封装,带有反射器,开放式

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Micro-Hybrid

基于C-MOSI的红外辐射源,TO39封装,带有反射器,开放式



描述


JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化,如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出,用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体及相关气体。带有标准TO封装和盖子的包装版本适合测量距离长达2厘米。
我们红外辐射源中使用的MEMS芯片包含一个多层热板膜片,内含一个高温稳定的金属CMOSI层。发射器芯片的有效面积为2.2 x 2.2平方毫米,基于硅衬底并采用背刻蚀膜技术。所有薄膜工艺均采用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI电阻层免受老化和环境影响。


应用


NDIR气体检测
衰减全反射光谱法
直接红外光谱法
光声光谱法


目标气体


二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨气、二氧化硫、六氟化硫以及成熟气体如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)


特点


由于芯片膜片的低热质量,时间常数为11毫秒
高膜片温度高达770°C,有效芯片面积为2.2 x 2.2平方毫米
长期稳定的芯片结构
光谱带宽从2到15微米
CMOSI芯片技术


技术参数



典型操作特性







电气示意图



电路


等效电路图



机械制图


底部



截面图


商家电话:
15933752505