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| 品牌 |
ON/安森美 |
型号 |
MJD45H11T4G |
| 封装 |
TO252 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
5000 |
制造商 |
onsemi |
| 产品种类 |
双极晶体管-双极结型晶体管(BJT) |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 晶体管极性 |
PNP |
配置 |
Single |
| 发射极-基极电压VEBO |
5V |
集电极—射极饱和电压 |
1V |
| 最大直流电集电极电流 |
8A |
Pd-功率耗散 |
20W |
| 增益带宽产品fT |
90MHz |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
系列 |
MJD45H11 |
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: -
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
最大直流电集电极电流: 8 A
Pd-功率耗散: 20 W
增益带宽产品fT: 90 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD45H11
商标: onsemi
集电极连续电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
2500
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 6.22 mm
单位重量: 351 mg
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