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地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 型号 |
BC848C-7-F |
数量 |
6521 |
| 封装 |
SOT-23 |
批号 |
22+ |
| 晶体管极性 |
NPN |
集电极—发射极最大电压VCEO |
30V |
| 发射极-基极电压VEBO |
5V |
集电极—射极饱和电压 |
200mV |
| 最大直流电集电极电流 |
100mA |
Pd-功率耗散 |
310mW |
| 增益带宽产品fT |
300MHz |
最小工作温度 |
-65C |
| 最大工作温度 |
+150C |
直流集电极 |
420 |
| 直流电流增益hFE最大值 |
800at2mA,5V |
|
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
集电极—基极电压 VCBO: 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 200 mV
最大直流电集电极电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 310 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BC848C
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 420
直流电流增益 hFE 最大值: 800 at 2 mA, 5 V
高度: 1 mm
长度: 3.05 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.4 mm
单位重量: 8 mg
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