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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
型号 |
IRFPS37N50APBF |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
TO247 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
800 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-247-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
500V |
| Id-连续漏极电流 |
36A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
130mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-30V,+30V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
| Qg-栅极电荷 |
180nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
446W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
80ns |
正向跨导-最小值 |
20S |
| 高度 |
20.82mm |
长度 |
15.87mm |
| 上升时间 |
98ns |
|
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 80 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 98 ns
系列: IRFPS
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6 g
18320997658