联系人：章经理
邮箱：
电话：18320997658
地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
IR |
型号 |
IRFP4710PBF |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
TO247 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
13888 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-247-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
72A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
110mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.8V |
| Qg-栅极电荷 |
110nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
190W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
20.7mm |
长度 |
15.87mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
5.31mm |
| 单位重量 |
6g |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 72 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
25
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
零件号别名: IRFP4710PBF SP001575990
单位重量: 6 g
18320997658