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| 品牌 |
Infineon |
型号 |
IRL3705NPBF |
| 封装 |
TO220 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
13888 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
55V |
Id-连续漏极电流 |
77A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
10mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-16V,+16V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.8V |
Qg-栅极电荷 |
65.3nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
130W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
高度 |
15.65mm |
| 长度 |
10mm |
晶体管类型 |
4.4mm |
| 宽度 |
IRL3705NPBFSP001578520 |
零件号别名 |
2g |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 77 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 65.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 130 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRL3705NPBF SP001578520
单位重量: 2 g
18320997658