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| 品牌 |
仙童 |
型号 |
FQP8N60C |
| 最小包装量 |
管装 |
封装 |
TO220 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
350 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
600V |
Id-连续漏极电流 |
7.5A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
1.2Ohms |
Vgs-栅极-源极电压 |
30V |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
147W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
高度 |
16.3mm |
| 长度 |
10.67mm |
系列 |
FQP8N60C |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
4.7mm |
| 商标 |
ONSemiconductor/Fairchild |
|
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 28 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 147 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 64.5 ns
正向跨导 - 最小值: 8.7 S
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 60.5 ns
系列: FQP8N60C
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 81 ns
典型接通延迟时间: 16.5 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FQP8N60C_NL
单位重量: 2 g
18320997658