| 型号 |
STP4435 |
类型 |
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 |
| 沟道类型 |
P型沟道 |
导电方式 |
增强型 |
| 适合频率 |
低频 |
材质 |
P-FET硅P沟道 |
| 工作电压 |
30 |
工作电流 |
10 |
| 种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
货号 |
今年 |
| 是否跨境货源 |
否 |
数量 |
500000 |
| 封装 |
sop-8 |
批号 |
今年 |
|
41394445 |
厂家 |
STANSON/司坦森 |
STP4435替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑它是利用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制，以尽量减少对国家的阻力。这些器件特别适合于低电压应用，如液晶显示器背光，笔记本电脑等计算机电源管理和其他电池供电电路。特征-30V / -9.2a，RDS（上）= - 22mΩ（典型值@ VGS = - 10V-30V / -7.0a RDS（ON）＝30mΩ@ VGS = 4.5v超高密度电池设计极低的RDS（on）l特殊的阻力和值直流电流的能力SOP-8封装设计
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