| 型号 |
STC4614 |
类型 |
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 |
| 导电方式 |
耗尽型 |
适合频率 |
高频 |
| 工作电压 |
40 |
工作电流 |
10 |
| 货号 |
今年 |
是否跨境货源 |
否 |
| 数量 |
500000 |
封装 |
sop-8 |
| 批号 |
今年 |
41394445 |
|
| 厂家 |
STANSON/司坦森 |
|
描述
stc4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管
DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程，特别是量身定制，以尽量减少对状态的阻力
并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用
如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在高侧
开关，低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的
特征
N沟道
40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）
@ VGS = 10V
40V／6A，RDS（ON）= 32mΩ
@ VGS = 4.5V
P沟道
- 40V / -10.0a，RDS（上）= 37mΩ（典型值
@ VGS = - 10V
- 40V / -5.0a，RDS（上）= 43mΩ
@ VGS = - 4.5V
！超高密度电池设计
极低的RDS（on）
！特殊的阻力和大
直流电流的能力
！SOP-8封装
ST2300SRG可替代WNM2016
ST2301A可替代Si2301、AO3423、FDN302P、FDN342P、FDN338P、APM2313、APM2323、STM2309
ST2302替代Si2302、TN0200T、FDN339AN、FDN371N、FDN335N、APM2314、APM2324、SSM3K102TU
ST2303替代Si2303、Si2307、Si2323、AO3405、AO3409、AO3421、FDN360P、FDN358P、FDN352AP
ST2305可替代Si2305、FDN304P、APM2301、NTR4101PT1G、RTR030P02、IRLML6402
ST3400SRG替代NTR4170NT1G
ST2341SRG替代AO3415、PPM3T20V6、SM2307PSA
ST2300替代SI2312、AO3416 AO3420、AP2302AGN/PNMT20V06
ST2304替代Si2304 Si2306 AO3406 NDS355AN APM2306
ST2305A替代FDN306P、DMP2035U
ST3400S23RG替代AO3400、AP2305AGN、IRFML8244
ST3401M替代AO3401、CES2307
ST3422A替代AO3422A、ZXMN6A07F、G2301A
STN1810替代AO4886
STN4402替代Si4420 Si4882 Si4820 Si4894 AO4420 /4404B AO4422 AO4446 FDS6630A FDS6614A FDS6680 FDS6924 APM4820 IRF7413/AP4800AGM XZN4420
STP4407可替代AO4407、APM4315K
STP4435A替代Si4431、Si4435、Si4425、AO4411、AO4415、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4419、si9804
STN4438替代ME4436
STN4488L替代AO4728L、IRF7832、SI7898DP、AO4410
STC4606替代SI5504、AO4606
STC4614替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、
STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930/MDS5951
STN4920替代Si4920、AO4812
STP4953替代Si4953、AO4803、FDS8958、APM4953
ST9435替代Si9435、Si4431、AO4405、FDS9435、SSM9435GM
ST16N10替代APM1110NUB、IRLR/U120NPbF、CEU12N10L
ST13P10替代SFR9120、AM1A16PSU/UB、IRF9530
STN8882D替代SUD50N024、AOD452、FDD7030BL、LR3103、IRFR3707
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