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| 型号 |
GBJ3510F |
半导体材料 |
磷铟砷化镓 |
| 安装方式 |
直插 |
功率特性 |
小功率 |
| 频率特性 |
超高频 |
封装方式 |
玻璃封装 |
| 功耗 |
标准 |
正向电压降 |
标准 |
| 最大反向工作电压 |
标准 |
击穿电压 |
标准 |
| 额定整流电流 |
标准 |
最大反向漏电流 |
标准 |
| 结温 |
标准 |
产地 |
泰国 |
| 厂家 |
LITEON台湾敦南 |
|
电桥类型：单相
峰值平均正向电流：35A
峰值反向重复电压：1000V
安装类型：通孔
封装类型：GBJ
引脚数目：4
配置：单
工作温度：+150 °C
工作温度：-55 °C
峰值正向电压：1.1V
峰值反向电流：500μA
长度：30.3mm
高度：19.7mm
尺寸：30.3 x 4.8 x 19.7mm
宽度：4.8mm
结电容：85pF
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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