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| 型号 |
GBJ2010F |
半导体材料 |
氮化镓GaN |
| 封装方式 |
玻璃封装 |
正向电压降 |
标准 |
| 击穿电压 |
标准 |
最大反向工作电压 |
标准 |
| 额定整流电流 |
标准 |
最大反向漏电流 |
标准 |
| 外形尺寸 |
标准 |
功耗 |
标准 |
| 产地 |
泰国 |
厂家 |
LITEON台湾敦南 |
| 商品目录 | 整流桥 | |
| 平均整流电流(Io) | 20A | |
| 工作温度 | -55℃ (Tj) | |
| 工作温度 | +150℃ (Tj) | |
| 反向电流(Ir) | 10μA 1kV | |
| 正向浪涌电流(Ifsm) | 240A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV | |
| 正向压降(Vf) | 1.05V 10A |
13590269297