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| 品牌 |
Vishay |
封装 |
SO-8 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PowerPAK-SO-8 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
10.3A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
22mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
| Qg-栅极电荷 |
27nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
4.5W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
1.04mm |
长度 |
6.15mm |
| 系列 |
SI7 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
5.15mm |
正向跨导-最小值 |
26S |
| 下降时间 |
12ns |
上升时间 |
10ns |
| 品牌： | Vishay |
| 型号： | SI7850DP-T1-E3 |
| 封装： | SO-8 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerPAK-SO-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 10.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 22 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 27 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 4.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.04 mm |
| 长度： | 6.15 mm |
| 系列： | SI7 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.15 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 26 S |
| 下降时间： | 12 ns |
| 上升时间： | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 25 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns |
| 零件号别名： | SI7850DP-E3 |
18926578433