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电话：18926578433
地址： 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
安森美 |
封装 |
XDFN2 |
| 批号 |
24+ |
数量 |
20000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
2.2A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
155mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.5V |
| Qg-栅极电荷 |
5.1nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
1.5W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
系列 |
NVR5198NL |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
正向跨导-最小值 |
3S |
| 下降时间 |
2ns |
上升时间 |
7ns |
| 典型关闭延迟时间 |
13ns |
典型接通延迟时间 |
5ns |
| 单位重量 |
8mg |
型号 |
NVR5198NLT1G |
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NVR5198NLT1G |
| 封装： | XDFN2 |
| 批号： | 24+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 155 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 5.1 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 系列： | NVR5198NL |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 3 S |
| 下降时间： | 2 ns |
| 上升时间： | 7 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 13 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns |
| 单位重量： | 8 mg |
18926578433