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| 品牌 |
Vishay |
封装 |
2133+ |
| 批号 |
SOT-23-3 |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
5.6A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
42mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2.5V |
| Qg-栅极电荷 |
2.9nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
2.1W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
8ns |
上升时间 |
20ns |
| 系列 |
SI2 |
晶体管类型 |
14ns |
| 典型关闭延迟时间 |
7ns |
典型接通延迟时间 |
SI2318CDS-T1-BE3SI2318CDS-GE3 |
| 零件号别名 |
8mg |
型号 |
SI2318CDS-T1-GE3 |
18926578433