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| 品牌 |
安森美 |
封装 |
SOT-23-6 |
| 批号 |
2018 |
数量 |
51000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SSOT-6 |
通道数量 |
2Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel,P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
| Id-连续漏极电流 |
3A,2.2A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
70mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
12V |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
960mW |
| 配置 |
Dual |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
1.1mm |
长度 |
2.9mm |
| 系列 |
FDC6420C |
晶体管类型 |
1N-Channel,1P-Channel |
| 宽度 |
1.6mm |
正向跨导-最小值 |
10S,6S |
| 下降时间 |
7ns,12ns |
上升时间 |
7ns,12ns |
| 典型关闭延迟时间 |
13ns,10ns |
典型接通延迟时间 |
5ns,9ns |
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