联系人：卢寿光
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电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
ST |
封装 |
TO-247 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
50000 |
| 制造商 |
STMicroelectronics |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-247-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
1.5kV |
| Id-连续漏极电流 |
8A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
2.5Ohms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
30V |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
320W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
20.15mm |
长度 |
15.75mm |
| 系列 |
STW9N150 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
5.15mm |
下降时间 |
52ns |
| 上升时间 |
14.7ns |
典型关闭延迟时间 |
86ns |
| 典型接通延迟时间 |
41ns |
单位重量 |
38g |
| 品牌： | ST |
| 型号： | STW9N150 |
| 封装： | TO-247 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 50000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1.5 kV |
| Id-连续漏极电流： | 8 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 320 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 20.15 mm |
| 长度： | 15.75 mm |
| 系列： | STW9N150 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.15 mm |
| 下降时间： | 52 ns |
| 上升时间： | 14.7 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 86 ns |
| 典型接通延迟时间： | 41 ns |
| 单位重量： | 38 g |
18926578433