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| 品牌 |
德州仪器 |
封装 |
DSBGA-9 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
3000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
DSBGA-9 |
通道数量 |
2Channel |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
| Id-连续漏极电流 |
3.9A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
54mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
4.5V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
600mV |
| Qg-栅极电荷 |
2.9nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
0.7W |
| 配置 |
Dual |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
0.62mm |
长度 |
1.5mm |
| 系列 |
CSD75207W15 |
晶体管类型 |
2P-Channel |
| 宽度 |
1.5mm |
正向跨导-最小值 |
6.2S |
| 下降时间 |
16ns |
上升时间 |
8.6ns |
18926578433