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地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 |
P沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
封装外形 |
SMD(SO)/表面封装 |
| 数量 |
5400 |
型号 |
SUD50P04-09L-E3 |
| 标准包装 | 2,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 50A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 9.4 mOhm @ 24A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250μA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 150nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@?Vds的 | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3DPAK |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| RDS -于 | 9.4@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 60 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 145 ns |
| 典型下降时间 | 140 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电阻 | 9.4@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 3000 |
| 最大连续漏极电流 | 50 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 136W |
| 匹配代码 | SUD50P04-09L-E3 |
| R（ THJC ） | 1.1K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 2000 |
| 标准的提前期 | 26 weeks |
| 最小起订量 | 2000 |
| Q（克） | 150nC |
| LLRDS （上） | 0.0145Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | -4,5V |
| 我（D ） | -50A |
| V（ DS ） | -40V |
| 技术 | TrenchFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0094Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 50A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250μA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.4 mOhm @ 24A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 150nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SUD50P04-09L-E3CT |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 50 A |
| 正向跨导 - 闵 | 73 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 9.4 mOhms |
| 功率耗散 | 136 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 上升时间 | 60 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 140 ns |
| 栅源电压（最大值） | ?20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.0094 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :-50A |
| Drain Source Voltage Vds | :-40V |
| On Resistance Rds(on) | :7500μohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1V |
18926578433