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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
DFN56 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
200000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PowerPAK-SO-8 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
| Id-连续漏极电流 |
35A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
4.8mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
41nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
36W |
| 通道模式 |
Enhancement |
系列 |
SIR |
| 配置 |
Single |
高度 |
1.04mm |
| 长度 |
6.15mm |
宽度 |
SIR410DP-GE3 |
| 零件号别名 |
506.600mg |
型号 |
SiR410DP-T1-GE3 |
18926578433