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| 品牌 |
Vishay |
封装 |
1924+ |
| 批号 |
SOP-8 |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SO-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
11.4A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
24mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
| Qg-栅极电荷 |
50nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
5W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 系列 |
SI4 |
晶体管类型 |
1P-Channel |
| 正向跨导-最小值 |
23S |
下降时间 |
12ns |
| 上升时间 |
8ns |
典型关闭延迟时间 |
45ns |
| 典型接通延迟时间 |
10ns |
零件号别名 |
SI4435DDY-GE3 |
18926578433