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| 品牌 |
IR |
封装 |
TO-263 |
| 批号 |
21+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-263-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
200V |
| Id-连续漏极电流 |
9.3A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
300mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
| Qg-栅极电荷 |
23.3nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
82W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
2.3mm |
长度 |
6.5mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
6.22mm |
| 正向跨导-最小值 |
4.9S |
下降时间 |
15ns |
| 上升时间 |
14ns |
典型关闭延迟时间 |
27ns |
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