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| 品牌 |
美台 |
封装 |
SOT-23 |
| 批号 |
20+ |
数量 |
120000 |
| 制造商 |
DiodesIncorporated |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
| Id-连续漏极电流 |
4.9A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
45mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-12V,+12V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
600mV |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
1.4W |
通道模式 |
Enhancement |
| 系列 |
ZXMN2F30 |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
5.6ns |
正向跨导-最小值 |
8.6S |
| 高度 |
1.02mm |
长度 |
3.04mm |
| 上升时间 |
5.6ns |
晶体管类型 |
19.4ns |
| 典型关闭延迟时间 |
2.9ns |
典型接通延迟时间 |
1.4mm |
18926578433