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| 种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 |
N沟道 |
| 导电方式 |
增强型 |
数量 |
7353 |
| 型号 |
STF21N65M5 |
|
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 17A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 190 mOhm @ 8.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250μA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 50nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@?Vds的 | 1950pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220FP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| RDS -于 | 190@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 25 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | 25 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大漏源电阻 | 190@10V |
| 最大漏源电压 | 650 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220FP |
| 最大功率耗散 | 30000 |
| 最大连续漏极电流 | 17 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 30W |
| 匹配代码 | STF21N65M5 |
| R（ THJC ） | 4.17K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 50nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 17A |
| V（ DS ） | 650V |
| 技术 | MDmeshV |
| 的RDS（on ） at10V | 0.179Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250μA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | TO-220FP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 190 mOhm @ 8.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1950pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 50nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
| 身高 | 16.4mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 最大漏源电阻 | 0.179 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 30 W |
| 包装类型 | TO-220FP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 50 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 1950 pF @ 100 V |
| 宽度 | 4.6mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 25 V |
| 连续漏极电流 | 17 A |
| RDS（ON） | 150 mOhms |
| 功率耗散 | 30 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-220-3 FP |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 50 nC |
| Continuous Drain Current Id | :17A |
| Drain Source Voltage Vds | :650V |
| On Resistance Rds(on) | :0.15ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :30W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220FP |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
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