联系人：卢寿光
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电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
Infineon |
封装 |
TO-252-3 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-252-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
150A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
4.5mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.8V |
| Qg-栅极电荷 |
32nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
140W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
2.3mm |
长度 |
6.5mm |
| 晶体管类型 |
6.22mm |
宽度 |
IRL7833STRLPBFSP001568388 |
| 零件号别名 |
330mg |
型号 |
IRL7833STRLPBF |
| 品牌： | Infineon |
| 型号： | IRL7833STRLPBF |
| 封装： | TO-252-3 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 150 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.8 V |
| Qg-栅极电荷： | 32 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 140 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 晶体管类型： | 6.22 mm |
| 宽度： | IRL7833STRLPBF SP001568388 |
| 零件号别名： | 330 mg |
18926578433