联系人:卢寿光
邮箱:yijinguandao@163.com
电话:18926578433
地址: 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
IR |
封装 |
TO-251 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-251-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
55V |
| Id-连续漏极电流 |
11A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
175mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Qg-栅极电荷 |
12.7nC |
| Pd-功率耗散 |
38W |
配置 |
Single |
| 高度 |
6.22mm |
长度 |
6.73mm |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
2.38mm |
| 零件号别名 |
SP001557756 |
单位重量 |
4g |
| 型号 |
IRFU9024NPBF |
|

| 品牌: | IR |
| 型号: | IRFU9024NPBF |
| 封装: | TO-251 |
| 批号: | 22+ |
| 数量: | 2000 |
| 制造商: | Infineon |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-251-3 |
| 通道数量: | 1 Channel |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 55 V |
| Id-连续漏极电流: | 11 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 175 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
| Qg-栅极电荷: | 12.7 nC |
| Pd-功率耗散: | 38 W |
| 配置: | Single |
| 高度: | 6.22 mm |
| 长度: | 6.73 mm |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 宽度: | 2.38 mm |
| 零件号别名: | SP001557756 |
| 单位重量: | 4 g |