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电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
安森美 |
封装 |
HSSOP36 |
| 批号 |
24+ |
数量 |
20000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
25V |
| Id-连续漏极电流 |
220mA |
RdsOn-漏源导通电阻 |
5Ohms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
8V |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
350mW |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
1.2mm |
长度 |
2.9mm |
| 系列 |
FDV301N |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
1.3mm |
正向跨导-最小值 |
0.2S |
| 下降时间 |
6ns |
上升时间 |
6ns |
| 典型关闭延迟时间 |
3.5ns |
典型接通延迟时间 |
3.2ns |
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | FDV301N |
| 封装： | HSSOP36 |
| 批号： | 24+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 25 V |
| Id-连续漏极电流： | 220 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 8 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 350 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.2 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | FDV301N |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 0.2 S |
| 下降时间： | 6 ns |
| 上升时间： | 6 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 3.5 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3.2 ns |
| 零件号别名： | FDV301N_NL |
| 单位重量： | 31 mg |
18926578433