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| 品牌 |
DIODES |
封装 |
21+ |
| 批号 |
SOT23-3 |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
DiodesIncorporated |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
50V |
| Id-连续漏极电流 |
130mA |
RdsOn-漏源导通电阻 |
10Ohms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
800mV |
| Qg-栅极电荷 |
280pC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
300mW |
| 通道模式 |
Enhancement |
系列 |
BSS84 |
| 配置 |
Single |
正向跨导-最小值 |
0.05S |
| 高度 |
1mm |
长度 |
2.9mm |
| 晶体管类型 |
EnhancementModeFieldEffectTransistor |
典型关闭延迟时间 |
10ns |
| 典型接通延迟时间 |
1.3mm |
宽度 |
8mg |
18926578433