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| 品牌 |
ST |
封装 |
TO-220F |
| 数量 |
20000 |
制造商 |
STMicroelectronics |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
800V |
Id-连续漏极电流 |
3A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
3.5Ohms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-30V,+30V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
4.5V |
Qg-栅极电荷 |
22.5nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
25W |
通道模式 |
Enhancement |
| 系列 |
STP4NK80ZFP |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
32ns |
正向跨导-最小值 |
2.9S |
| 高度 |
9.3mm |
长度 |
10.4mm |
| 上升时间 |
12ns |
晶体管类型 |
35ns |
| 典型关闭延迟时间 |
13ns |
典型接通延迟时间 |
4.6mm |
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