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| 品牌 |
美国万代 |
封装 |
DFN2x5 |
| 批号 |
20+ |
数量 |
120000 |
| 描述 |
MOSFET2N-CH30V7.2A6DFN |
对无铅要求的达标情况 |
无铅 |
| 湿气敏感性等级（MSL） |
1（无限） |
详细描述 |
MOSFET-阵列-2-N-沟道（双）共漏-30V-7.2A-1 |
| 数据列表 |
AON5802B(L); |
标准包装 |
5,000 |
| 包装 |
标准卷带 |
零件状态 |
停產 |
| 产品族 |
晶体管-FET，MOSFET-阵列 |
FET类型 |
2N沟道（双）共漏 |
| FET功能 |
逻辑电平门 |
漏源电压（Vdss） |
30V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
7.2A |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
1.5V@250µA |
| 功率-最大值 |
1.6W |
工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
6-SMD，扁平引线裸焊盘 |
| 供应商器件封装 |
6-DFN-EP（2x5） |
类型 |
分立半导体产品 |
| 型号 |
AON5802B |
|
18926578433