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| 品牌 |
ON |
封装 |
SOT-23 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
50000 |
| 制造商 |
onsemi |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
2.5A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
110mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
| Qg-栅极电荷 |
3.6nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
730mW |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
1.6ns,1.8ns |
正向跨导-最小值 |
5.3S |
| 高度 |
0.94mm |
长度 |
2.9mm |
| 上升时间 |
5.8ns,6.7ns |
系列 |
NTR4503N |
| 晶体管类型 |
MOSFET |
典型关闭延迟时间 |
4.8ns,5.8ns |
| 品牌： | ON |
| 型号： | NTR4503NT1G |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 50000 |
| 制造商： | onsemi |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 110 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 3.6 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 730 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 1.6 ns, 1.8 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 5.3 S |
| 高度： | 0.94 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 上升时间： | 5.8 ns, 6.7 ns |
| 系列： | NTR4503N |
| 晶体管类型： | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间： | 4.8 ns, 5.8 ns |
| 典型接通延迟时间： | 1.3 mm |
| 宽度： | 8 mg |
18926578433