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| 品牌 |
Vishay |
封装 |
SO-8 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SO-8 |
晶体管极性 |
N-Channel,P-Channel |
| 通道数量 |
2Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
5.6A,3.4A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
57mOhms,183mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.5V |
| Qg-栅极电荷 |
11.5nC,36nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
3.6W,4.2W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Dual |
| 系列 |
SI4 |
晶体管类型 |
1N-Channel,1P-Channel |
| 正向跨导-最小值 |
9S,9.3S |
下降时间 |
12ns,25ns |
| 上升时间 |
73ns,80ns |
典型关闭延迟时间 |
14ns,42ns |
| 典型接通延迟时间 |
32ns,55ns |
单位重量 |
506.600mg |
18926578433