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| 品牌 |
安森美 |
封装 |
SOT23 |
| 数量 |
20000 |
制造商 |
ONSemiconductor |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOT-23-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
560mA |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
1.5Ohms |
Vgs-栅极-源极电压 |
4V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
800mV |
Qg-栅极电荷 |
1.15nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
690mW |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
高度 |
0.94mm |
| 长度 |
2.9mm |
系列 |
NTR4003N |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
1.3mm |
| 正向跨导-最小值 |
0.33S |
下降时间 |
64.2ns |
| 上升时间 |
47.9ns |
典型关闭延迟时间 |
65.1ns |
| 典型接通延迟时间 |
16.7ns |
单位重量 |
8mg |
| 型号 |
NTR4003NT1G |
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