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| 品牌 |
IR |
封装 |
2102+ |
| 数量 |
2000 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
150V |
Id-连续漏极电流 |
13A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
580mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
4V |
Qg-栅极电荷 |
66nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
110W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
高度 |
2.3mm |
| 长度 |
6.5mm |
晶体管类型 |
1P-Channel |
| 宽度 |
6.22mm |
正向跨导-最小值 |
3.6S |
| 下降时间 |
37ns |
上升时间 |
36ns |
| 典型关闭延迟时间 |
53ns |
典型接通延迟时间 |
14ns |
| 单位重量 |
2g |
型号 |
IRFR6215TRPBF |
18926578433