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| 品牌 |
IR |
封装 |
TO-251 |
| 批号 |
21+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-251-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
9.1A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
210mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
4V |
| Qg-栅极电荷 |
16.7nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
39W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
6.22mm |
长度 |
6.73mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
2.38mm |
| 单位重量 |
4g |
型号 |
IRFU120NPBF |
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