联系人：刘经理
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地址： 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
原装 |
种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型 |
N沟道 |
导电方式 |
耗尽型 |
| 数量 |
50000 |
型号 |
IRFP460APBF |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 270 mOhm @ 12A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250μA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 105nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@?Vds的 | 3100pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 280W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| RDS -于 | 270@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 55 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 典型下降时间 | 39 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 5.31(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 280000 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 270@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 15.87(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 20.7(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 20 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 25 |
| 最小起订量 | 500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250μA |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 其他名称 | *IRFP460APBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 270 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 280W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3100pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 105nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
| 身高 | 20.7mm |
| 长度 | 15.87mm |
| 最大漏源电阻 | 0.27 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 280 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-247AC |
| 典型栅极电荷@ VGS | 105 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3100 pF V @ 25 |
| 宽度 | 5.31mm |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| 正向跨导 - 闵 | 11 S |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 270 mOhms |
| 功率耗散 | 280 W |
| 封装/外壳 | TO-247AC |
| 栅极电荷Qg | 105 nC |
| 上升时间 | 55 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 39 ns |
| 漏极电流（最大值） | 20 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | ?30 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.27 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :20A |
| Drain Source Voltage Vds | :500V |
| On Resistance Rds(on) | :270mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :280W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-247AC |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
| Current Id Max | :20A |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :0.45°C/W |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :80A |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vds | :500V |
| Voltage Vds Typ | :500V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
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