联系人：刘经理
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电话：18926578433
地址： 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
Vishay |
封装 |
PowerPAK-1212-8 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PowerPAK-1212-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
35A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6.3mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
40nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
52W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
1.04mm |
长度 |
3.3mm |
| 系列 |
SIS |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
3.3mm |
正向跨导-最小值 |
60S |
| 下降时间 |
12ns |
上升时间 |
15ns |
| 典型关闭延迟时间 |
25ns |
典型接通延迟时间 |
20ns |
| 零件号别名 |
SIS434DN-GE3 |
型号 |
SiS434DN-T1-GE3 |
| 品牌： | Vishay |
| 型号： | SiS434DN-T1-GE3 |
| 封装： | PowerPAK-1212-8 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerPAK-1212-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 35 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 40 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 52 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.04 mm |
| 长度： | 3.3 mm |
| 系列： | SIS |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 3.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 60 S |
| 下降时间： | 12 ns |
| 上升时间： | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 25 ns |
| 典型接通延迟时间： | 20 ns |
| 零件号别名： | SIS434DN-GE3 |
18926578433