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地址： 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
原装 |
种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型 |
N沟道 |
导电方式 |
增强型 |
| 封装 |
TO-220 |
数量 |
15000 |
| 型号 |
IRF1010EPBF |
|
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 84A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250μA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 130nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@?Vds的 | 3210pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 84 A |
| RDS -于 | 12@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 78 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 典型下降时间 | 53 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 12@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大功率耗散 | 200000 |
| 最大连续漏极电流 | 84 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 84A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250μA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 200W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3210pF @ 25V |
| 其他名称 | *IRF1010EPBF |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 130nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
| 身高 | 8.77mm |
| 长度 | 10.54mm |
| 最大漏源电阻 | 0.012 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 130 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 3210 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.69mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 81 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 170 W |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 86.6 nC |
| Continuous Drain Current Id | :81A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :12mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :170W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :84A |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :0.9°C/W |
| 引线间距 | :2.54mm |
| No. of Transistors | :1 |
| On State resistance @ Vgs = 10V | :12mohm |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Pin Format | :1 g |
| Pulse Current Idm | :330A |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vds Typ | :60V |
| Voltage Vgs Max | :4V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.002 |
18926578433