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| 品牌 |
Fairchild |
封装 |
TO-252 |
| 数量 |
30000 |
制造商 |
ONSemiconductor |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 技术 |
Si |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-252-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
44A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
28mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
135W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 商标名 |
UltraFET |
高度 |
2.39mm |
| 长度 |
6.73mm |
系列 |
FDD3672 |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
6.22mm |
| 商标 |
ONSemiconductor/Fairchild |
下降时间 |
44ns |
| 产品类型 |
MOSFET |
上升时间 |
59ns |
| 工厂包装数量 |
2500 |
子类别 |
MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 |
26ns |
典型接通延迟时间 |
11ns |
| 零件号别名 |
FDD3672_NL |
单位重量 |
260.370mg |
| 类型 |
MOSFET |
型号 |
FDD3672 |
18926578433