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地址： 山东济宁市第七工业园C区
| 品牌 |
TI |
封装 |
VSON8 |
| 批号 |
23+ |
数量 |
50000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
VSONP-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
100A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6.5mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.9V |
| Qg-栅极电荷 |
29nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
3.2W |
| 配置 |
Single |
高度 |
1mm |
| 长度 |
6mm |
系列 |
CSD18533Q5A |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
4.9mm |
| 正向跨导-最小值 |
122S |
下降时间 |
2ns |
| 上升时间 |
5.5ns |
典型关闭延迟时间 |
15ns |
| 典型接通延迟时间 |
5.2ns |
单位重量 |
86.200mg |
| 型号 |
CSD18533Q5A |
|
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD18533Q5A |
| 封装： | VSON8 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 50000 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | VSONP-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.9 V |
| Qg-栅极电荷： | 29 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.2 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1 mm |
| 长度： | 6 mm |
| 系列： | CSD18533Q5A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.9 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 122 S |
| 下降时间： | 2 ns |
| 上升时间： | 5.5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 15 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5.2 ns |
| 单位重量： | 86.200 mg |
18926578433