联系人：卢寿光
邮箱：yijinguandao@163.com
电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
IR |
封装 |
TO-220 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-220-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
200V |
| Id-连续漏极电流 |
31A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
82mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
30V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
5.5V |
| Qg-栅极电荷 |
70nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
200W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
15.65mm |
长度 |
10mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
4.4mm |
| 正向跨导-最小值 |
17S |
下降时间 |
10ns |
| 上升时间 |
38ns |
典型关闭延迟时间 |
26ns |
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRFB31N20DPBF |
| 封装： | TO-220 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 31 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 82 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 5.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 70 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 200 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 17 S |
| 下降时间： | 10 ns |
| 上升时间： | 38 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 26 ns |
| 典型接通延迟时间： | 16 ns |
| 零件号别名： | SP001560192 |
| 单位重量： | 6 g |
18926578433