联系人：卢寿光
邮箱：yijinguandao@163.com
电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
IR |
封装 |
TO-220 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
2000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-220-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
75V |
| Id-连续漏极电流 |
130A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
5mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Qg-栅极电荷 |
120nC |
| Pd-功率耗散 |
250W |
配置 |
Single |
| 高度 |
15.65mm |
长度 |
10mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
4.4mm |
| 零件号别名 |
SP001555972 |
单位重量 |
6g |
| 型号 |
IRFB3307PBF |
|
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRFB3307PBF |
| 封装： | TO-220 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 75 V |
| Id-连续漏极电流： | 130 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 120 nC |
| Pd-功率耗散： | 250 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.4 mm |
| 零件号别名： | SP001555972 |
| 单位重量： | 6 g |
18926578433