联系人：卢寿光
邮箱：yijinguandao@163.com
电话：18926578433
地址： 中国 河北 沧州市河北省盐山县蒲洼城工业开发区
| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
TO-252 |
| 批号 |
21+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-252-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
30A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
31mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
24nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
57W |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 系列 |
OptiMOS-T |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
3ns |
高度 |
2.3mm |
| 长度 |
6.5mm |
上升时间 |
4ns |
| 晶体管类型 |
18ns |
典型关闭延迟时间 |
6ns |
18926578433