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| 品牌 |
DIODES |
封装 |
SOP12 |
| 批号 |
2021 |
数量 |
900000 |
| 制造商 |
DiodesIncorporated |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
170mA |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6Ohms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
800mV |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
300mW |
通道模式 |
Enhancement |
| 系列 |
BSS123 |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
8ns |
正向跨导-最小值 |
0.08S |
| 高度 |
1mm |
长度 |
2.9mm |
| 上升时间 |
8ns |
典型关闭延迟时间 |
8ns |
| 典型接通延迟时间 |
1.3mm |
宽度 |
8mg |
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | BSS123-7-F |
| 封装： | SOP12 |
| 批号： | 2021 |
| 数量： | 900000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 170 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 800 mV |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 300 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | BSS123 |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 8 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 0.08 S |
| 高度： | 1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 上升时间： | 8 ns |
| 晶体管类型： | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 典型关闭延迟时间： | 8 ns |
| 典型接通延迟时间： | 1.3 mm |
| 宽度： | 8 mg |
18926578433