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| 品牌 |
TI |
封装 |
PTAB-5 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
20000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PTAB-5 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
2Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
8A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
16.3mOhms,7.6mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-8V,+8V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.1V,1V |
| Qg-栅极电荷 |
3.9nC,8.9nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
4W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Dual |
| 下降时间 |
3ns,2.9ns |
正向跨导-最小值 |
40S,89S |
| 高度 |
0.48mm |
长度 |
3mm |
| 上升时间 |
19.3ns,16.3ns |
系列 |
CSD87381P |
| 晶体管类型 |
10.6ns,16.8ns |
典型关闭延迟时间 |
6.7ns,7.9ns |
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