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| 品牌 |
TI |
封装 |
DQJ-8 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
20000 |
| 制造商 |
TexasInstruments |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
VSONP-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
100A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
2.7mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.5V |
| Qg-栅极电荷 |
82nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
104W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 系列 |
CSD18511Q5A |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 正向跨导-最小值 |
5.2S |
下降时间 |
5ns |
| 上升时间 |
15ns |
典型关闭延迟时间 |
24ns |
| 典型接通延迟时间 |
6ns |
单位重量 |
86.200mg |
18926578433