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| 品牌 |
安森美 |
封装 |
QFN |
| 数量 |
20000 |
制造商 |
ONSemiconductor |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
Power-56-8 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
21.1A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
3.2mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
25V |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
2.5W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
高度 |
1.1mm |
| 长度 |
6mm |
系列 |
FDMS6681Z |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
5mm |
| 下降时间 |
197ns |
上升时间 |
38ns |
| 典型关闭延迟时间 |
260ns |
典型接通延迟时间 |
15ns |
| 单位重量 |
68.100mg |
型号 |
FDMS6681Z |
18926578433